基于液态金属的相变过程，垄断里逆前驱体在液态体相中的析出过程能被精确控制，从而实现自限制生长，获得近100%单层的二维材料（Chem.Mater., 2015, 27,8230。
b）生长石墨烯单晶阵列后的Cu基底的光学照片和标记区域的石墨烯单晶阵列的SEM图像，阿战以及典型的石墨烯拉曼光谱。势挑顺丰b）转移到SiO2/Si基底上后的石墨烯膜的光学照片。
垄断里逆d）FET器件的Ids–Vg传输曲线。阿战图8各向同性石墨烯单晶在液态Cu上的无缝拼接a）各向同性石墨烯单晶边缘结构的STM图像和模拟的原子结构。由于独特的催化生长和蚀刻行为，势挑顺丰研究者能够在液态表面获得具有均匀单层、可控形貌和多级结构等特征的石墨烯晶体。
垄断里逆c）基于平滑拼接的各向同性石墨烯晶体的FET器件。阿战TEM图像：d）使用传统的PMMA辅助方法转移和e）使用滑移转移法获得的单层石墨烯。
势挑顺丰d）连续且均匀的石墨烯膜。
垄断里逆图10液态Cu上制备大面积石墨烯单晶阵列a）液态金属中Al2O3有序阵列结构的形成机理。提供两款配色，阿战底盖融入黑胶唱片元素。
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